IRF730PBF、SIHP6N40D-GE3、STP11NK40Z对比区别

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型号 IRF730PBF SIHP6N40D-GE3 STP11NK40Z

描述 功率MOSFET Power MOSFETN 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 400 V - 400 V

额定电流 5.50 A - 9.00 A

额定功率 74 W - 110 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1 Ω 0.85 Ω 0.55 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 74 W 104 W 110 W

阈值电压 4 V 3 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

漏源击穿电压 400 V - 400 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 6A 9.00 A

上升时间 15 ns 11 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 311pF @100V(Vds) 930pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 74 W - 110 W

下降时间 14 ns 8 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 74000 mW 104 W 110W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.51 mm 10.4 mm

宽度 - 4.65 mm 4.6 mm

高度 - 9.01 mm 9.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube - Tube

最小包装 50 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17