IRFZ44ZSPBF、IRLZ44ZSTRLPBF、PSMN015-60BS对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFZ44ZSPBF IRLZ44ZSTRLPBF PSMN015-60BS

描述 INFINEON  IRFZ44ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。NXP  PSMN015-60BS  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0126 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0139 Ω 0.011 Ω 0.0126 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 80 W 80 W 86 W

阈值电压 4 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

输入电容(Ciss) 1420pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds) 1220pF @30V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 80000 mW 80W (Tc) 86 W

额定功率 80 W 80 W -

连续漏极电流(Ids) 51A 51A -

上升时间 68 ns 160 ns -

额定功率(Max) - 80 W -

下降时间 41 ns 42 ns -

通道数 1 - -

漏源击穿电压 55 V - -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.3 mm

宽度 9.65 mm 11.3 mm 11 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.5 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Exempt

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 - -