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LET9060、LET9060TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LET9060 LET9060TR

描述 RF MOSFET Transistors RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESDRF MOSFET Transistors RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 960 MHz 960 MHz

额定电流 12 A 12 A

耗散功率 95000 mW 95000 mW

输出功率 60 W 60 W

增益 17.2 dB 17.2 dB

测试电流 300 mA 300 mA

输入电容(Ciss) 77pF @28V(Vds) 77pF @28V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 95000 mW 95000 mW

额定电压 80 V 80 V

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

工作温度 -65℃ ~ 165℃ -