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1N4712D、JANTXV1N5544D-1、1N5544D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4712D JANTXV1N5544D-1 1N5544D

描述 DO-35 28V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW28V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH -

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

稳压值 28 V 28 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率 500 mW - -

封装 DO-35 DO-204AH -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

RoHS标准 - -

含铅标准 - -