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MOCD217M、MOCD217R2M、ILD205T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MOCD217M MOCD217R2M ILD205T

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MOCD217M  光电耦合器, 晶体管输出, 2通道, SOIC, 8 引脚, 60 mA, 2.5 kV, 100 %FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MOCD217R2M  光电耦合器, 晶体管输出, 2通道, SOIC, 8 引脚, 60 mA, 2.5 kV, 100 %光电耦合器,光电晶体管输出,双通道, SOIC- 8封装 Optocoupler, Phototransistor Output, Dual Channel, SOIC-8 package

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V - 1.20 V

上升/下降时间 3.2µs, 4.7µs 3.2µs, 4.7µs 3μs, 4.7μs

输入电压(DC) 1.05 V 1.05 V -

输出电压 30.0 V 30.0 V 70.0 V

电路数 2 2 -

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

正向电压 1.05 V 1.05 V 1.2 V

输入电流 10.0 mA 10.0 mA 10.0 mA

耗散功率 0.25 W 250 mW 0.3 W

上升时间 3.2 µs 3.2 µs 3 µs

隔离电压 2500 Vrms 2500 Vrms 4000 Vrms

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - -

正向电流 60 mA 60 mA 30 mA

输出电压(Max) 30 V 30 V 70 V

输入电流(Min) 200 mA 60 mA -

击穿电压 6 V 6 V 6 V

正向电压(Max) 1.3 V 1.3 V 1.55 V

正向电流(Max) 60 mA 60 mA 30 mA

下降时间 4.7 µs 4.7 µs 4.7 µs

工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃ 100 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW

宽度 4.16 mm 4.16 mm -

高度 3.43 mm 3.43 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5.13 mm -

工作温度 -40℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃ -55℃ ~ 100℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99