锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

GS8662D18BGD-250I、GS8672D18BE-250I、CY7C1513AV18-250BZXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8662D18BGD-250I GS8672D18BE-250I CY7C1513AV18-250BZXI

描述 QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165Pin FBGA72兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 GSI GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 LBGA LBGA LBGA

封装 LBGA LBGA LBGA

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

工作温度 - -40℃ ~ 100℃ -