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1N5523B、JAN1N5523B-1、CDLL5523B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5523B JAN1N5523B-1 CDLL5523B

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW低电压表面贴装500 mW的雪崩二极管 Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-204AH DO-35-2 DO-213AA-2

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

稳压值 5.1 V 5.1 V 5.1 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

容差 - ±5 % ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

耗散功率 - - 500 mW

正向电压(Max) - - 1.1V @200mA

封装 DO-204AH DO-35-2 DO-213AA-2

长度 - 5.08 mm 3.7 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃