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MCP6N11T-001E/SN、MCP6N11-010E/SN、MCP6N11-001E/SN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP6N11T-001E/SN MCP6N11-010E/SN MCP6N11-001E/SN

描述 INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 3000uV OFFSET-MAX, 35MHz BAND WIDTH, PDSO8, 3.9MM, PLASTIC, SOIC-8MICROCHIP  MCP6N11-010E/SN  仪器放大器, 1个放大器, 500 µV, 9 V/µs, 5 MHz, 1.8V 至 5.5V, SOICMICROCHIP  MCP6N11-001E/SN  仪器放大器, 1个放大器, 3 mV, 9 V/µs, 500 kHz, 1.8V 至 5.5V, SOIC

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 仪表放大器仪表放大器仪表放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤30 mA 30 mA ≤30 mA

供电电流 800 µA 800 µA 800 µA

电路数 1 1 1

输入补偿漂移 2.70 µV/K 2.70 µV/K 2.70 µV/K

增益频宽积 500 kHz 5 MHz 500 kHz

输入补偿电压 3 mV 500 µV 3 mV

输入偏置电流 10 pA 10 pA 10 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 62 dB 81 dB 62 dB

电源电压(Max) 5V ~ 7V 5V ~ 7V 5V ~ 7V

工作电压 - 1.8V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V

通道数 - 1 1

针脚数 - 8 8

共模抑制比 - 114 dB 94 dB

静态电流 - 1.1 mA 1.1 mA

带宽 - 5 MHz 500 kHz

转换速率 - 9.00 V/μs 9.00 V/μs

增益带宽 - 5 MHz 500 kHz

电源电压 - 1.8V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.9 mm

高度 - 1.25 mm 1.25 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17