DB103、DB103G对比区别

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型号 DB103 DB103G

描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, DB, 4 PINGENESIC SEMICONDUCTOR DB103G Bridge Rectifier Diode, Single, 200V, 1A, DIP, 1.1V, 4Pins

数据手册 --

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) GeneSiC Semiconductor

分类 二极管

封装 - EDIP-4

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 4

封装 - EDIP-4

高度 - 3.3 mm

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

正向电压 - 1.1V @1A

正向电流 - 1 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） - 30 A

正向电压(Max) - 1.1 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)