M25P80-VMW6、M25P80-VMW6G、SST25VF512A-33-4I-SAE对比区别
型号 M25P80-VMW6 M25P80-VMW6G SST25VF512A-33-4I-SAE
描述 8兆位，低电压，串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface8兆位，低电压，串行闪存的40MHz SPI总线接口 8 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus InterfaceSST25VF系列 512Kb 64 Kx8 3V 表面贴装 SPI 串行闪存-SOIC-8
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microchip (微芯)
分类 存储芯片存储芯片Flash芯片
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 SOIC-8 SOP SOIC-8
电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -
时钟频率 40.0 MHz, 40.0 MHz (max) - 33 MHz
存取时间 40.0 µs - -
内存容量 8000000 B 8000000 B -
电源电压 2.7V ~ 3.6V - 2.7V ~ 3.6V
工作电压 - - 2.7V ~ 3.6V
供电电流 - - 10 mA
针脚数 - - 8
位数 - - 8
存取时间(Max) - - 12 ns
工作温度(Max) - - 85 ℃
工作温度(Min) - - -40 ℃
电源电压(Max) - - 3.6 V
电源电压(Min) - - 2.7 V
封装 SOIC-8 SOP SOIC-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 - - 3A991.b.1.a