BSO612CV、BSO612CVGHUMA1对比区别

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型号 BSO612CV BSO612CVGHUMA1

描述 SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-TransistorInfineon SIPMOS 系列 Si N/P沟道 MOSFET BSO612CVGHUMA1, 2 A、3 A, Vds=60 V, 8引脚 DSO封装

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 P-DSO-8 PG-DSO-8

额定电流 3.00 A 3.00 A

极性 N+P N+P

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 2.00 A

上升时间 60.0 ns -

输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

额定功率 - 2 W

耗散功率 - 2 W

输入电容 - 340 pF

栅电荷 - 15.5 nC

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W

封装 P-DSO-8 PG-DSO-8

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.45 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead