IRF820B、IRF820PBF、IRF820APBF对比区别

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型号 IRF820B IRF820PBF IRF820APBF

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET功率MOSFET Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 2.50 A -

额定功率 - 50 W -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 210 mΩ 3 Ω 3 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 49 W 50 W 50 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V -

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 2.50 A 2.50 A

上升时间 30 ns 8.60 ns 12 ns

输入电容(Ciss) - 360pF @25V(Vds) 340pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 50 W 50 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 50 W 50 W

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

下降时间 35 ns - 13 ns

长度 10.67 mm 10.41 mm 10.41 mm

宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.7 mm

高度 16.3 mm 9.01 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - 50 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -