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IXDD609SIA、IXDD609SIATR、IXDD509SIAT/R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDD609SIA IXDD609SIATR IXDD509SIAT/R

描述 IXDD609SIA 系列 9 A 低压侧 超快速 Mosfet 驱动器 - SOIC-8门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFETIC GATE DRIVER 9A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 22ns, 15ns 22ns, 15ns 25ns, 23ns

输出接口数 1 1 -

输出电流 2 A 2 A -

上升时间 22 ns 22 ns -

下降时间 15 ns 15 ns -

下降时间(Max) - 25 ns -

上升时间(Max) - 35 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 30V

电源电压(Max) 35 V 35 V -

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V -

输出电流(Max) 2 A - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -