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DS1220Y-150、M48Z02-150PC1、DS1220AB-150IND+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220Y-150 M48Z02-150PC1 DS1220AB-150IND+

描述 Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, 0.72INCH,DIP-24STMICROELECTRONICS  M48Z02-150PC1  芯片, SRAM, ZEROPOWER? 16KNon-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, PDIP24, 0.72INCH, PLASTIC, EXTENDED MODULE, DIP-24

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP DIP-24 DIP-24

引脚数 - 24 -

存取时间 - 150 ns 150 ns

电源电压 - 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.75 V

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) -

供电电流 - 80 mA -

针脚数 - 24 -

时钟频率 - 150 GHz -

内存容量 - 2000 B -

存取时间(Max) - 150 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

封装 DIP DIP-24 DIP-24

长度 - 34.8 mm -

宽度 - 18.34 mm -

高度 - 8.89 mm -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -