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JAN1N4117-1、JANTXV1N4117-1、1N5253B-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4117-1 JANTXV1N4117-1 1N5253B-TR

描述 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES齐纳二极管 500mW,1N52xx 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) VISHAY (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

耗散功率 480 mW 480 mW 500 mW

测试电流 0.25 mA 0.25 mA 5 mA

稳压值 25 V 25 V 25 V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

稳压电流 - - 5 mA

正向电压(Max) - - 1.1V @200mA

长度 5.08 mm 5.08 mm 3.9 mm

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 10000

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free