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STB60NF06LT4、BUK7608-55A,118、IRLZ44ZSPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB60NF06LT4 BUK7608-55A,118 IRLZ44ZSPBF

描述 STMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 VNXP BUK7608-55A,118 MOSFET Transistor, N Channel, 75A, 55V, 6.8mohm, 10V, 3VN沟道 55V 51A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 60.0 V - 55.0 V

额定电流 60.0 A - 51.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 254 W 80 W

产品系列 - - IRLZ44ZS

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 75.0 A 51.0 A

上升时间 220 ns 94 ns 160 ns

输入电容(Ciss) 2000pF @25V(Vds) 4352pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 254 W 80 W

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.016 Ω 0.0068 Ω -

阈值电压 1 V 3 V -

下降时间 30 ns 80 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 254W (Tc) -

针脚数 3 - -

漏源击穿电压 60 V - -

栅源击穿电压 ±15.0 V - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

宽度 9.35 mm 9.4 mm -

长度 10.4 mm - -

高度 4.6 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -