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APT34N80LC3、APT34N80LC3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT34N80LC3 APT34N80LC3G

描述 超级结MOSFET Super Junction MOSFETTO-264 N-CH 800V 34A

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-264 TO-264-3

额定电压(DC) - 800 V

额定电流 - 34.0 A

漏源极电阻 - 125 mΩ

极性 N-CH N-CH

耗散功率 - 417 W

阈值电压 - 3 V

输入电容 - 4.51 nF

栅电荷 - 355 nC

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

漏源击穿电压 - 800 V

连续漏极电流(Ids) 34A 34.0 A

上升时间 - 15 ns

输入电容(Ciss) - 4510pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 417 W

下降时间 - 6 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 417W (Tc)

长度 - 26.49 mm

宽度 - 20.5 mm

高度 - 5.21 mm

封装 TO-264 TO-264-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free