IRFP450APBF、IRFP460APBF对比区别
描述 VISHAY IRFP450APBF.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 VVISHAY IRFP460APBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V
额定电流 14.0 A 20.0 A
额定功率 - 280 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.4 Ω 0.27 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 280 W
阈值电压 4 V 4 V
输入电容 2038pF @25V 3100pF @25V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 20.0 A
上升时间 36 ns 55 ns
输入电容(Ciss) 2038pF @25V(Vds) 3100pF @25V(Vds)
下降时间 29 ns 39 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 190 W 280000 mW
栅电荷 64.0 nC -
长度 15.87 mm 15.87 mm
宽度 5.31 mm 5.31 mm
高度 20.7 mm 20.82 mm
封装 TO-247 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC