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IRFP450APBF、IRFP460APBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP450APBF IRFP460APBF

描述 VISHAY  IRFP450APBF..  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 VVISHAY  IRFP460APBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 270 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V 500 V

额定电流 14.0 A 20.0 A

额定功率 - 280 W

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.4 Ω 0.27 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 190 W 280 W

阈值电压 4 V 4 V

输入电容 2038pF @25V 3100pF @25V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 20.0 A

上升时间 36 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 2038pF @25V(Vds) 3100pF @25V(Vds)

下降时间 29 ns 39 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 190 W 280000 mW

栅电荷 64.0 nC -

长度 15.87 mm 15.87 mm

宽度 5.31 mm 5.31 mm

高度 20.7 mm 20.82 mm

封装 TO-247 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC