锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPD33CN10NGATMA1、IPD50R280CE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD33CN10NGATMA1 IPD50R280CE

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3Pin TO-252Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

耗散功率 58 W 119 W

漏源极电压(Vds) 100 V 500 V

上升时间 21 ns 6.4 ns

输入电容(Ciss) 1570pF @50V(Vds) 773pF @100V(Vds)

下降时间 4 ns 7.6 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 58W (Tc) 92W (Tc)

极性 - N-Channel

连续漏极电流(Ids) - 13A

额定功率(Max) - 92 W

长度 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC