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4N26、MCT2、TCDT1102G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 4N26 MCT2 TCDT1102G

描述 Single Channel 30V 1500Vrms Transistor Output Optocoupler Through Hole -DIP-6DIP6 Through Hole Single Channel 30V 5300Vrms Phototransistor OptocouplerVISHAY  TCDT1102G..  光耦合器

数据手册 ---

制造商 LiteOn (光宝) ISOCOM Components (安数光) Vishay Semiconductor (威世)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

引脚数 6 6 6

封装 DIP-6 PDIP DIP-6

安装方式 Through Hole - Through Hole

正向电压 1.2 V 1.5 V 1.25 V

耗散功率 250 mW 0.2 W 250 mW

隔离电压 1500 Vrms 5300 v 5 kV

正向电流 80 mA 60 mA -

击穿电压 6 V 6 V -

正向电压(Max) 1.5 V 1.5 V 1.6 V

正向电流(Max) 80 mA 60 mA 60 mA

工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃ 100 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 200 mW 250 mW

上升/下降时间 3 µs - 7µs, 6.7µs

输出电压 ≤30.0 V - 32.0 V, 32.0 V (max)

通道数 1 - 1

针脚数 - - 6

输入电流 - - 50.0 mA

上升时间 3 µs - 7 µs

输出电压(Max) 30 V - 32 V

输入电流(Min) 80 mA - 60 mA

下降时间 3 µs - 6.7 µs

输入电压(DC) 1.20 V - -

电路数 1 - -

封装 DIP-6 PDIP DIP-6

高度 3.5 mm - 3.81 mm

长度 7.3 mm - -

宽度 6.5 mm - -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Design

包装方式 Tube - Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 100℃ - -55℃ ~ 110℃

ECCN代码 EAR99 - -