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KF9N50P、R5009ANX对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KF9N50P R5009ANX

描述 N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTORN 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM

数据手册 --

制造商 KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 - TO-220-3

耗散功率 - 50 W

漏源极电压(Vds) - 500 V

上升时间 - 20 ns

输入电容(Ciss) - 650pF @25V(Vds)

下降时间 - 28 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

耗散功率(Max) - 50W (Tc)

长度 - 10.3 mm

宽度 - 4.8 mm

高度 - 15.4 mm

封装 - TO-220-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Not For New Designs

包装方式 - Bulk

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free