JAN2N3634、JANTX2N3634对比区别
描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-39 TO-39
击穿电压(集电极-发射极) 140 V 140 V
最小电流放大倍数(hFE) 50 @50mA, 10V 50 @50mA, 10V
额定功率(Max) 1 W 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW
极性 - -
耗散功率 - 1 W
封装 TO-39 TO-39
材质 Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bag Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准
军工级 - -
ECCN代码 - EAR99