199D335X9035B1V1E3、MCDT3R3K35-1-RH、199D335X9025B1V1E3对比区别

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型号 199D335X9035B1V1E3 MCDT3R3K35-1-RH 199D335X9025B1V1E3

描述 VISHAY  199D335X9035B1V1E3  钽电容, 3.3uF, 35V, 径向引线MULTICOMP  MCDT3R3K35-1-RH  钽电容, 3.3uF 10%容差 35VVISHAY  199D335X9025B1V1E3  钽电容, 3.3uF 25V 10%

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Multicomp Vishay Semiconductor (威世)

分类 钽电容钽电容钽电容

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 Radial - -

引脚间距 2.54 mm 2.5 mm 2.54 mm

额定电压(DC) 35.0 V 35.0 V 25 V

电容 3.3 µF 3.3 µF 3.3 µF

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压 35 V 35 V 25 V

等效串联电阻(ESR) - 4 Ω -

产品系列 - MCDT -

高度 7.62 mm 8.5 mm 7.62 mm

封装 Radial - -

引脚间距 2.54 mm 2.5 mm 2.54 mm

直径 - Φ5.2mm -

长度 - - 0.3 in

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -55℃ ~ 125℃

包装方式 Each Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free