1N757CE3TR、JANTXV1N757C-1、JANHCA1N757C对比区别
型号 1N757CE3TR JANTXV1N757C-1 JANHCA1N757C
描述 DO-35 9.1V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDO-35 9.1V 0.5W(1/2W)
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 齐纳二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 DO-35 DO-35 DO-35
耗散功率 500 mW - 500 mW
稳压值 9.1 V 9.1 V 9.1 V
容差 - ±2 % -
正向电压 - 1.1V @200mA -
额定功率(Max) - 500 mW -
封装 DO-35 DO-35 DO-35
产品生命周期 Obsolete Active Active
RoHS标准 RoHS Compliant -
含铅标准 - -
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -