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DS1230Y-FIR、DS1330Y、DS1330AB-IND对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1230Y-FIR DS1330Y DS1330AB-IND

描述 256K Nonvolatile SRAMThe DS1330 256K Nonvolatile (NV) SRAMs are 262,144Bit, fully static, NV SRAMs organized as 32,768 words by 8BitsNon-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 DMA - -

封装 DMA - -

产品生命周期 Unknown Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -