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FZT1051ATA、FZT1051ATC、PBSS4540Z,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FZT1051ATA FZT1051ATC PBSS4540Z,115

描述 FZT1051ATA 编带Trans GP BJT NPN 40V 5A 3000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 155 MHz - 130 MHz

额定功率 - - 1.35 W

针脚数 - - 4

耗散功率 3 W - 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 270 @1A, 2V 270 @1A, 2V 250 @2A, 2V

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2 W

直流电流增益(hFE) - - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 3000 mW 2 W

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 5.00 A 5.00 A -

极性 NPN NPN -

集电极最大允许电流 5A 5A -

增益频宽积 155 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 290 - -

长度 6.7 mm - 6.7 mm

宽度 3.7 mm - 3.7 mm

高度 1.65 mm - 1.7 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - -