2SJ313、STP4NC60、S5K对比区别

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型号 2SJ313 STP4NC60 S5K

描述 TO-220NIS P-CH 180V 1AN沟道600V - 1.8ohm - 4.2A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFETPower Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) Mitsubishi (三菱)

分类 MOS管MOS管

封装 TO-220 TO-220 -

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

极性 P-CH - -

漏源极电压(Vds) 180 V - -

连续漏极电流(Ids) 1A - -

漏源极电阻 - 2.20 Ω -

耗散功率 - 100 W -

上升时间 - 14 ns -

输入电容(Ciss) - 475pF @25V(Vds) -

下降时间 - 19 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 100000 mW -

封装 TO-220 TO-220 -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -