NTB45N06L、NTB45N06T4、NTB45N06T4G对比区别
型号 NTB45N06L NTB45N06T4 NTB45N06T4G
描述 45安培， 60伏特，逻辑电平， N沟道TO- 220和D2PAK 45 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel TO−220 and D2PAK功率MOSFET 45安培， 60伏 Power MOSFET 45 Amps, 60 VoltsON SEMICONDUCTOR NTB45N06T4G MOSFET Transistor, N Channel, 45 A, 60 V, 0.021 ohm, 10 V, 2.8 V 新
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 D2PAK-263 D2PAK-263 TO-263-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 45.0 A 45.0 A 45.0 A
漏源极电阻 28.0 mΩ 26.0 mΩ 26 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 125 W
阈值电压 2 V - 2.8 V
输入电容 1.72 nF - -
栅电荷 46.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60.0 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 45.0 A 45.0 A 45.0 A, 45.0 mA
上升时间 341 ns 101 ns 101 ns
输入电容(Ciss) 1212pF @25V(Vds) 1224pF @25V(Vds) 1725pF @25V(Vds)
下降时间 158 ns 106 ns 106 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125000 mW 125000 mW 2.4 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
额定功率(Max) - - 2.4 W
封装 D2PAK-263 D2PAK-263 TO-263-3
长度 - - 10.29 mm
宽度 - - 4.83 mm
高度 - - 11.05 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 800 - -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99