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BSP320SH6327XTSA1、BSP320SH6433对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6433

描述 INFINEON  BSP320SH6327XTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 60 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V 新60V,120mΩ,2.9A,N沟道小信号MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 4 -

封装 TO-261-4 -

额定功率 1.8 W -

通道数 1 -

针脚数 4 -

漏源极电阻 0.09 Ω -

极性 N-Channel -

耗散功率 1.8 W -

阈值电压 3 V -

漏源极电压(Vds) 60 V -

连续漏极电流(Ids) 2.9A -

上升时间 25 ns -

输入电容(Ciss) 340pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1.8 W -

下降时间 35 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.8W (Ta) -

长度 6.5 mm -

宽度 3.5 mm -

高度 1.6 mm -

封装 TO-261-4 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -