FDB2572、NTB35N15T4G、STD15NF10T4对比区别
型号 FDB2572 NTB35N15T4G STD15NF10T4
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定电压(DC) 150 V 150 V 100 V
额定电流 29.0 A 37.0 A 23.0 A
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 54.0 mΩ 0.05 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 135 W 178 W 70 W
阈值电压 - 2.9 V 3 V
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 100 V
漏源击穿电压 150 V 150 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 29.0 A 37.0 A 23.0 A
上升时间 14 ns 125 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 135 W 2 W 70 W
下降时间 14 ns 120 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135 W 2 W 70W (Tc)
输入电容 1.77 nF - -
栅电荷 26.0 nC - -
长度 10.67 mm 9.65 mm 6.6 mm
宽度 11.33 mm 10.29 mm 6.2 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 2.4 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99