BSC889N03LSG、STL140N4LLF5、HAT2165H-EL-E对比区别

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型号 BSC889N03LSG STL140N4LLF5 HAT2165H-EL-E

描述 Mosfet n-Ch 30V 45A Tdson-8 - Bsc889n03ls gN 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 - PowerFLAT-5x6-8 SOT-669

引脚数 - 8 5

封装 - PowerFLAT-5x6-8 SOT-669

长度 - 4.75 mm -

宽度 - 5.75 mm -

高度 - 0.88 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 0.0021 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 80 W 30 W

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) - 40 V 30 V

漏源击穿电压 - 40 V -

连续漏极电流(Ids) - 140A 55A

上升时间 - 29 ns 65 ns

输入电容(Ciss) - 5900pF @25V(Vds) 5180pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 4 W 30 W

下降时间 - 21 ns 9.5 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 80W (Tc) 30W (Tc)

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

ECCN代码 - - EAR99