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1N3671AR、JANTX1N3671AR、1N3671RA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3671AR JANTX1N3671AR 1N3671RA

描述 Diode Switching 800V 12A 2Pin DO-4Diode Gen Purp 800V 12A Do203aa军事硅电力整流器 Military Silicon Power Rectifier

数据手册 ---

制造商 GeneSiC Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管功率二极管

基础参数对比

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

安装方式 Through Hole - -

引脚数 2 - -

封装 DO-4 DO-203AA DO-4

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

军工级 - - Yes

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 无铅 Contains Lead -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

正向电压 1.1V @12A 1.35V @38A -

正向电流 12 A - -

正向电压(Max) 1.1 V - -

工作温度 150 ℃ - -