AM1214-250、RX1214B300Y,114、AM1214-300对比区别

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型号 AM1214-250 RX1214B300Y,114 AM1214-300

描述 射频功率晶体管L波段雷达应用 RF POWER TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONSTrans RF BJT NPN 60V 21A 3Pin(3+Tab) SOT-439A BlisterRF Power Bipolar Transistor, 1Element, L Band, Silicon, NPN, 0.4INCH, FM-2

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) Advanced Semiconductor

分类 MOS管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 M259 SOT-439 -

耗散功率 786000 mW 570000 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

封装 M259 SOT-439 -

长度 - 12.85 mm -

宽度 - 10.2 mm -

高度 - 6 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube Tray -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -