MT47H256M8HG-37EIT:A、W972GG8JB25I、MT47H512M4THN-3:G对比区别

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型号 MT47H256M8HG-37EIT:A W972GG8JB25I MT47H512M4THN-3:G

描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 11.50 X 14MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 11 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA63, 9 X 11.5MM, LEAD FREE, FBGA-63

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Winbond Electronics (华邦电子股份) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片

封装 TFBGA TFBGA-60 TFBGA

引脚数 - 60 -

封装 TFBGA TFBGA-60 TFBGA

高度 - 0.8 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

位数 - 8 -

存取时间(Max) - 0.4 ns -

工作温度(Max) - 95 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V -

工作温度 - -40℃ ~ 95℃ -