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JANS1N5554US、JANTXV1N5554、1N5554US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS1N5554US JANTXV1N5554 1N5554US

描述 Diode Switching 1kV 5A 2Pin B-MELFDiode Switching 1kV 5A 2Pin Case EDiode Switching 1kV 3A 2Pin MELF-B

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Sensitron Semiconductor

分类 功率二极管TVS二极管

基础参数对比

引脚数 2 2 2

封装 B-SQ-MELF-2 B, Axial MELF-B

安装方式 Surface Mount Through Hole -

正向电压 1.3 V 1.3V @9A 1.3 V

反向恢复时间 2000 ns 2 µs 2000 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电流 5000 mA 5000 mA -

正向电流(Max) 5000 mA 5 A -

正向电压(Max) - 1.3V @9A -

高度 - - 3.8 mm

封装 B-SQ-MELF-2 B, Axial MELF-B

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -