1SG211HN1F43E2VG、MI0805J102R-10对比区别

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型号 1SG211HN1F43E2VG MI0805J102R-10

描述 1SG211HN1F43E2VGLAIRD TECHNOLOGIES  MI0805J102R-10  铁氧体磁芯, 2012, 100MHZ, 1000R

数据手册 --

制造商 Intel (英特尔) Laird Technologies (莱尔德)

分类 铁氧体

封装 FBGA-1760 0805

安装方式 - Surface Mount

封装(公制) - 2012

封装 FBGA-1760 0805

长度 - 2 mm

宽度 - 1.25 mm

高度 - 1.1 mm

封装(公制) - 2012

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

频率 - 100 MHz

额定电流 - 1 A

测试频率 - 100 MHz

电阻(DC） - ≤150.0 mΩ

额定电流(Max) - 1 A

额定电流(DC) - 1 A

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电阻(DC Max) - 0.15 Ω

工作温度 - -40℃ ~ 125℃

ECCN代码 - EAR99