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71016S20PHGI、71016S20PHGI8、IDT71016S20PHI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71016S20PHGI 71016S20PHGI8 IDT71016S20PHI

描述 静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAMIC SRAM 1Mbit 20NS 44TSOPCMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 44 44 -

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

供电电流 170 mA - -

存取时间 20 ns - -

存取时间(Max) 20 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

长度 18.41 mm 18.4 mm -

宽度 10.16 mm 10.2 mm -

高度 1 mm - -

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

厚度 1.00 mm 1.00 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - 3A991