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BSC020N03LSGATMA1、FDMS8660AS、FDMS8672AS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC020N03LSGATMA1 FDMS8660AS FDMS8672AS

描述 TDSON N-CH 30V 28AN沟道PowerTrench㈢ SyncFET 30V , 49A , 2.1米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET 30V, 49A, 2.1mヘN沟道PowerTrench㈢ SyncFET 30V , 28A , 5.0米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET 30V, 28A, 5.0mヘ

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PG-TDSON-8 Power-56 Power-56-8

引脚数 8 - -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 28A 28A 28A

输入电容(Ciss) 7200pF @15V(Vds) 5865pF @15V(Vds) 2600pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 70W (Tc)

额定功率 96 W - -

输入电容 2100 pF - -

上升时间 7 ns - 4 ns

下降时间 7 ns - 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 5 mΩ

漏源击穿电压 - - 30 V

封装 PG-TDSON-8 Power-56 Power-56-8

长度 5.49 mm - 6 mm

宽度 5.15 mm - 5 mm

高度 1.27 mm - 1.1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free