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IRF7406、IRF7406TR、IRF7406TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7406 IRF7406TR IRF7406TRPBF

描述 SOIC P-CH 30V 5.8ASOIC P-CH 30V 5.8AHEXFET® P 通道功率 MOSFET,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -5.80 A -5.80 A -

极性 P-CH P-CH P-Channel

产品系列 IRF7406 IRF7406 -

漏源极电压(Vds) 30.0 V 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 5.80 A 5.80 A 5.8A

上升时间 33 ns 33.0 ns 33 ns

额定功率 - - 2.5 W

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.045 Ω

耗散功率 - - 2.5 W

输入电容(Ciss) 1100pF @25V(Vds) - 1100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.5 W

下降时间 47 ns - 47 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW - 2.5W (Ta)

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)