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P1206Y5111BBT、P1206Y5111BN、P1206Y5111BB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P1206Y5111BBT P1206Y5111BN P1206Y5111BB

描述 Thin Film Resistors - SMD P 1206 Y 5111B B TR薄膜电阻器 - SMD P 1206 Y 5111 B N WP e2Thin Film Resistors - SMD P 1206 Y 5111B B WP

数据手册 ---

制造商 Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Sfernice (思芬尼)

分类

基础参数对比

封装(公制) 3216 3216 3216

封装 1206 1206 1206

额定功率 330 mW 330 mW 330 mW

电阻 5.11 kΩ 5.11 kΩ 5.11 kΩ

额定电压 200 V 200 V 200 V

容差 - 0.1 % -

工作温度(Max) - 155 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 3.06 mm 3.06 mm 3.06 mm

宽度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm

高度 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm

封装(公制) 3216 3216 3216

封装 1206 1206 1206

工作温度 55℃ ~ 155℃ 55℃ ~ 155℃ 55℃ ~ 155℃

温度系数 ±10 ppm/℃ ±10 ppm/℃ ±10 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 - RoHS Compliant -