JAN1N5527BUR-1、JAN1N5527BUR-1TR、1N5527BUR-1对比区别

高亮显示差异参数

型号 JAN1N5527BUR-1 JAN1N5527BUR-1TR 1N5527BUR-1

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 0.5W(1/2W), Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管功率二极管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 DO-213AA DO-213AA DO-213AA

引脚数 - - 2

容差 ±5 % - -

正向电压 1.1V @200mA - -

稳压值 7.5 V - 7.5 V

额定功率(Max) 500 mW - -

耗散功率 - - 0.5 W

测试电流 - - 1 mA

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-213AA DO-213AA DO-213AA

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -