SQD30N05-20L_GE3、SQD35N05-26L-GE3、SQD30N05-20L-GE3对比区别

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型号 SQD30N05-20L_GE3 SQD35N05-26L-GE3 SQD30N05-20L-GE3

描述 MOSFET N-CH 55V 30A TO252MOSFET N-CH 55V 30A TO252SQD30N05-20L Automotive N-Channel 55 V (D-S) 175 °C MOSFET

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

漏源极电阻 0.016 Ω - 0.016 Ω

阈值电压 1.5 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

通道数 1 - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 50 W 50W (Tc) -

漏源击穿电压 55 V - -

上升时间 10 ns - -

输入电容(Ciss) 1175pF @25V(Vds) 1175pF @25V(Vds) -

下降时间 5 ns - -

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc) -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -