IRF9Z24SPBF、SPB08P06PGATMA1对比区别

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型号 IRF9Z24SPBF SPB08P06PGATMA1

描述 VISHAY  IRF9Z24SPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 VINFINEON  SPB08P06PGATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -60 V, 0.221 ohm, -10 V, -3 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263 TO-263-3

额定电压(DC) - -60.0 V

额定电流 - -8.80 A

额定功率 - 42 W

通道数 - 1

针脚数 3 3

漏源极电阻 0.28 Ω 0.221 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 60 W 42 W

输入电容 - 420 pF

栅电荷 - 15.0 nC

漏源极电压(Vds) -60.0 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A, -11.0 A 8.80 A

上升时间 - 46 ns

输入电容(Ciss) 570pF @25V(Vds) 420pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 42 W

下降时间 - 14 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3700 mW 42 W

漏源击穿电压 -60.0 V -

长度 10.67 mm 10 mm

宽度 9.65 mm 9.25 mm

高度 4.83 mm 4.4 mm

封装 TO-263 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 - Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17