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IRFL9014PBF、IRFL9014TR、NDT2955对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFL9014PBF IRFL9014TR NDT2955

描述 Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4Pin(3+Tab) SOT-223MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDT2955  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

引脚数 - - 4

耗散功率 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 3 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

输入电容(Ciss) 270pF @25V(Vds) 270pF @25V(Vds) 601pF @30V(Vds)

耗散功率(Max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 3W (Ta)

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -2.50 A

额定功率 - - 3 W

针脚数 - - 4

漏源极电阻 - - 0.095 Ω

极性 - - P-Channel

阈值电压 - - 2.6 V

漏源击穿电压 - - -60.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 2.50 A

上升时间 - - 10 ns

额定功率(Max) - - 1.1 W

下降时间 - - 6 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 3.56 mm

高度 - - 1.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR