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MT29F4G08ABCHC-ET:C TR、MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F4G08ABCHC-ET:C TR MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR

描述 IC FLASH 4GBIT 63VFBGASLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M x 8Bit 63Pin VFBGA T/R

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 63

封装 VFBGA-63 VFBGA-63

供电电流 - 20 mA

位数 - 8

存取时间(Max) - 25 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

高度 - 0.65 mm

封装 VFBGA-63 VFBGA-63

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅