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BAS70-06S、BAS70DW-06-TP、BAS70DW-06P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS70-06S BAS70DW-06-TP BAS70DW-06P

描述 硅肖特基二极管阵列(通用二极管,高速开关电路保护电压钳位) Silicon Schottky Diode Array (General-purpose diode for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping)Diode Small Signal Schottky 70V 0.07A 6Pin SOT-363 T/RDIODE 0.07 A, 70 V, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6, Signal Diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Micro Commercial Components (美微科) Micro Commercial Components (美微科)

分类 二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 SOT-363 SOT-323-6 -

额定电压(DC) - 70.0 V -

额定电流 - 70.0 mA -

电容 - 2.00 pF -

正向电压 - 1V @15mA -

反向恢复时间 - 5 ns -

正向电流 - 0.07 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 0.1 A -

正向电压(Max) - 1V @15mA -

正向电流(Max) - 0.07 A -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1.1 mm -

封装 SOT-363 SOT-323-6 -

工作温度 - 55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -