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GS8342T18AGE-250I、K7I321882M-FC25、UPD44324182F5-E50-EQ2-A对比区别

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型号 GS8342T18AGE-250I K7I321882M-FC25 UPD44324182F5-E50-EQ2-A

描述 SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA Tray36Mbit DDR2 SDRAM 4ns 165-FBGA - K7I321882M-FC252MX18 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, FBGA-165

数据手册 ---

制造商 GSI Samsung (三星) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片

基础参数对比

封装 LBGA LBGA LBGA

封装 LBGA LBGA LBGA

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -