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IRF9540NPBF、IRFP9150、IRF9530PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9540NPBF IRFP9150 IRF9530PBF

描述 INFINEON  IRF9540NPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -100 V, 117 mohm, -10 V, -4 V25A , 100V , 0.150欧姆,P沟道功率MOSFET 25A, 100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETVISHAY  IRF9530PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Intersil (英特矽尔) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 - TO-220

额定电压(DC) - - -100 V

额定电流 - - -12.0 A

额定功率 140 W - 88 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.117 Ω - 0.3 Ω

极性 P-CH - P-Channel

耗散功率 140 W - 88 W

漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 23A - -12.0 A

上升时间 67 ns - 52.0 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) - 860pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) - 88000 mW

通道数 1 - -

阈值电压 4 V - -

输入电容 1300 pF - -

漏源击穿电压 100 V - -

热阻 62℃/W (RθJC) - -

额定功率(Max) 140 W - -

下降时间 51 ns - -

长度 10 mm - 10.41 mm

宽度 4.4 mm - 4.7 mm

高度 8.77 mm - 9.01 mm

封装 TO-220-3 - TO-220

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃

包装方式 Tube - Tube

产品生命周期 Active Unknown -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -