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DS1270Y-100#、DS1270Y-70#对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1270Y-100# DS1270Y-70#

描述 IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIPIC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

数据手册 --

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 DIP-36 EDIP-36

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 36

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - 5 V

时钟频率 - 70.0 GHz

存取时间 - 70 ns

内存容量 - 16000000 B

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压(Max) - 5.25 V

电源电压(Min) - 4.75 V

封装 DIP-36 EDIP-36

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 PB free PB free