IRFR3707ZTRPBF、IRLR8259PBF、IRFR3707ZTRRPBF对比区别

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型号 IRFR3707ZTRPBF IRLR8259PBF IRFR3707ZTRRPBF

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRLR8259PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 25 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.9 VDPAK N-CH 30V 56A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 50 W 48 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 9.5 mΩ 0.0063 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 50 W 48 W 50W (Tc)

阈值电压 1.35V ~ 2.35V 1.9 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 25 V -

连续漏极电流(Ids) 56A 57A 56A

上升时间 11 ns 38 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 1150pF @15V(Vds) 900pF @13V(Vds) 1150pF @15V(Vds)

下降时间 3.3 ns 8.9 ns 3.3 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 48W (Tc) 50W (Tc)

额定功率(Max) 50 W - -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -